https://www.skku.edu/skku/research/industry/researchStory_view.do?mode=view&articleNo=88685

저온 플라즈마를 이용한 대면적 이황화몰리브데넘-이황화텅스텐 수직이종구조 제조 원천기술 개발 성공

플라즈마 공정을 통한 기존 연구의 한계점을 극복하며 자세한 합성 메커니즘에 대한 규명 성공

기계공학부 김태성 교수 · 석지원 교수, 김형우 박사

※ PECVD 이차원 물질 합성 관련 논문 (김태성 교수 연구팀)
1) Low-Temperature Synthesis of Large-Scale Molybdenum Disulfide Thin Films Directly on a Plastic Substrate Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (안치성 et al., Advanced Materials, 27, 2015, 5223-5229)
2) Highly uniform wafer-scale synthesis of α-MoO3 by plasma enhanced chemical vapor deposition (김형우 et al., Nanotechnology, 28, 2017, 175601)
3) Low-temperature wafer-scale growth of MoS2-graphene heterostructures (김형우 et al., Applied Surface Science, 470, 2019, 129-134)
4) Wafer-Scale and Low-Temperature Growth of 1T-WS2 Film for Efficient and Stable Hydrogen Evolution Reaction (김형우 et al., Small, 16, 2020, 1905000)
5) Flexible MoS2–Polyimide Electrode for Electrochemical Biosensors and Their Applications for the Highly Sensitive Quantification of Endocrine Hormones: PTH, T3, and T4 (김형우 et al., Analytical Chemistry, 92, 2020, 6327-6333)
6) Realization of Wafer‐Scale 1T‐MoS2 Film for Efficient Hydrogen Evolution Reaction (김형우 et al., ChemSusChem, 2021) doi.org/10.1002/cssc.202002578
7) Low-Temperature and Large-Scale Production of Transition Metal Sulfide Vertical Heterostructure and Its Application for Photodetectors (Chaitanya et al., ACS Applied Materials & Interface, 2021)
8) Low-Temperature Synthesis of Wafer-Scale MoS2-WS2 Vertical Heterostructures by Single-Step Penetrative Plasma Sulfurization (석현호 et al., ACS Nano, 15, 2021, 707-718)

※언론보도현황
[베라티스알파]성균관대 저온 플라즈마를 이용한 수직이종구조 제조 원천기술 개발성공
[테크월드]성균관대, 저온 플라즈마 이용한 MoS2-WS2 수직이종구조 제조원천기술 개발
[유교신문] 성균관대 연구팀, 저온 플라즈마를 이용한 대면적 이황화몰리브데넘-이황화텅스텐 수직이종구조 제조 원천기술 개발 성공
[연합경제TV] 성균관대학교 저온 플라즈마를 이용한 대면적 이황화몰리브데넘-이황화텅스텐 수직이종구조 제조 원천기술 개발 성공
[에너지단열경제] 세계 최초로 전이금속 간 이종구조 대면적으로 구현, 저온공정과 높은 재현성 등 장점
[한국강사신문] 성균관대학교, 저온 플라즈마를 이용한 대면적 이황화몰리브데넘-이황화텅스텐 수직이종구조 제조 원천기술 개발 성공